1. Αρχή εργασίας
Το μηχάνημα υπερηχητικής επίστρωσης ινδίου επιτυγχάνει ομοιόμορφη επικάλυψη υλικών ινδίου μέσω υπερηχητικών κραδασμών και περιλαμβάνει κυρίως τα ακόλουθα συστατικά:
Γεννήτρια υπερήχων: Δημιουργεί ηλεκτρικά σήματα υψηλής συχνότητας.
Μετατροπέας: Μετατρέπει τα ηλεκτρικά σήματα σε μηχανικές δονήσεις.
Κεφαλή επικάλυψης: Μεταδίδει δονήσεις στο υλικό ινδίου έτσι ώστε να είναι ομοιόμορφα επικαλυμμένη στο υπόστρωμα.
Σύστημα ελέγχου: Ρυθμίζει τη συχνότητα των κραδασμών και την ένταση για να εξασφαλιστεί η ποιότητα επικάλυψης.
2. Κύρια χαρακτηριστικά
Υψηλή - Έλεγχος ακριβείας: Πάχος και ομοιομορφία με ακρίβεια ελέγχου.
Αυτοματοποιημένη λειτουργία: Το αυτοματοποιημένο σύστημα βελτιώνει την αποτελεσματικότητα και μειώνει τη χειροκίνητη παρέμβαση.
Ισχυρή προσαρμοστικότητα: ισχύει για τα υποστρώματα διαφόρων σχημάτων και υλικών.
Προστασία του περιβάλλοντος και εξοικονόμηση ενέργειας: Μειώστε τα απόβλητα υλικών και μειώστε τη ρύπανση του περιβάλλοντος.

3. Εφαρμογή
Ηλεκτρονική βιομηχανία: Χρησιμοποιείται σε ημιαγωγούς, οθόνες προβολής κ.λπ.
Οπτική βιομηχανία: Χρησιμοποιείται σε οπτικούς φακούς, φίλτρα κ.λπ.
Αεροδιαστημική: Χρησιμοποιείται σε αισθητήρες και ανιχνευτές υψηλής ακρίβειας.
Ηλιακή βιομηχανία: χρησιμοποιείται στην επικάλυψη ηλεκτροδίων των ηλιακών κυττάρων.






