καινοτομία.
1. Βασικές αρχές της τεχνολογίας επικάλυψης υπερήχων
Ο πυρήνας της υπερηχητικής μηχανής επικάλυψης ινδίου έγκειται στον συνδυασμό του συστήματος δόνησης υπερήχων και του ελέγχου υγρών ακριβείας. Η ροή εργασίας του μπορεί να χωριστεί στα ακόλουθα βασικά βήματα:
(1) Εφέ Υπερηχητικής Σπήγησης (σπηλαίωση)
Η υπερηχητική γεννήτρια (συνήθως με συχνότητα 20kHz ~ 100kHz) μετατρέπει την ηλεκτρική ενέργεια σε μηχανικές κραδασμούς υψηλής συχνότητας και μεταδίδει στο ακροφύσιο επίστρωσης ινδίου ή στην επιφάνεια του υποστρώματος μέσω του μορφοτροπέα.
Η δόνηση υψηλής συχνότητας προκαλεί υγρό ινδικό για να παράγει φυσαλίδες σπηλαίωσης. Όταν οι φυσαλίδες καταρρέουν αμέσως, απελευθερώνουν τεράστια ενέργεια, σπάζοντας την επιφανειακή τάση του υγρού ινδίου, καθιστώντας ευκολότερη την υγρασία του υποστρώματος και αποφεύγοντας το φαινόμενο "συρρίκνωσης" ή "συσσωμάτωσης" στην παραδοσιακή επικάλυψη.
(2) Micron - Σπρέι επιπέδου ψεκασμού
Κάτω από τη δράση των υπερήχων κραδασμών, το υγρό ινδίου ψεκάζεται σε ομοιόμορφα σταγονίδια στάθμης μικρών (1 ~ 50μm) και ψεκάζεται στην επιφάνεια του υποστρώματος μέσω ακροφυσίου ακριβείας.
Σε σύγκριση με τον παραδοσιακό ψεκασμό, τα σταγονίδια υπερήχων ψεκασμού είναι μικρότερα σε μέγεθος και πιο συγκεντρωμένα στη διανομή, μειώνοντας έτσι την εκτόξευση και τα υλικά απόβλητα.
(3) Δυναμική διαβροχή και εξισορρόπηση
Η υπερηχητική ενέργεια μπορεί να μειώσει το ιξώδες του υγρού ινδίου και να ενισχύσει τη ρευστότητα του, επιτρέποντας στην επίστρωση να εξαπλωθεί γρήγορα στην επιφάνεια του υποστρώματος σε ομοιόμορφο λεπτό στρώμα (το πάχος μπορεί να ελεγχθεί μεταξύ 0,1 και 10 μm).
Ορισμένος εξοπλισμός ενσωματώνει την υπέρυθρη θέρμανση ή ένα περιβάλλον κενού για την περαιτέρω εξάλειψη των φυσαλίδων και την προώθηση της μεταλλουργικής σύνδεσης μεταξύ του στρώματος ινδίου και του υποστρώματος.
2. Τρεις βασικές τεχνολογίες για την επίτευξη υψηλής επικάλυψης ακριβείας
(1) ακριβής έλεγχος της συχνότητας και του εύρους
Χαμηλή συχνότητα (20 ~ 40kHz): κατάλληλη για κράματα ινδίου υψηλού ιξώδους ή παχύτερες επικαλύψεις, με έντονη επίδραση σπηλαίωσης, αλλά μεγαλύτερο μέγεθος σταγονιδίων.
Υψηλή συχνότητα (60 ~ 100kHz): κατάλληλη για εξαιρετικά - λεπτές επικαλύψεις (όπως συσκευασία ημιαγωγών), με λεπτότερη ψεκασμό, αλλά απαιτεί υψηλότερη εισροή ενέργειας.
Σύστημα προσαρμοστικού ελέγχου: Ρυθμίστε δυναμικά τις υπερηχητικές παραμέτρους για να εξασφαλιστεί η συνέπεια με πραγματική παρακολούθηση του πάχους επικάλυψης (όπως ο μετρητής πάχους λέιζερ).
(2) Συντονισμένος έλεγχος της πλατφόρμας κίνησης πολλαπλών - άξονα
Οι μηχανές επικάλυψης ινδίου ακριβείας είναι συνήθως εξοπλισμένα με πλατφόρμες κίνησης CNC ή ρομποτικούς βραχίονες για να επιτευχθούν ομοιόμορφη κάλυψη σύνθετων καμπυλών επιφανειών (όπως γραμμές πλέγματος ηλιακών κυττάρων και μαξιλαράκια τσιπ).
Για παράδειγμα, σε κύτταρα φωτοβολταϊκής ετεροβόλησης (HJT), η υπερηχητική επίστρωση ινδίου μπορούν να γεμίσουν με ακρίβεια τα πρότυπα ηλεκτροδίων Micron - Επίπεδο για να αποφευχθούν οι κίνδυνοι βραχυκυκλώματος.
(3) Βελτιστοποίηση περιβάλλοντος και υλικού
Προστασία αδρανών αερίου: Αποτρέπει την οξείδωση του ινδίου (ειδικά σε διαδικασίες υψηλής θερμοκρασίας).
Προ -θεραπεία υποστρώματος: Αυξήστε την επιφανειακή ενέργεια και ενισχύστε την προσκόλληση του στρώματος του ινδίου μέσω καθαρισμού πλάσματος ή χημικής ενεργοποίησης.
3. Τυπικά σενάρια εφαρμογής
Φωτοβολταϊκή βιομηχανία: HJT Battery Electrode Indium Επίλυση για τη βελτίωση της απόδοσης της φωτοηλεκτρικής μετατροπής.
Συσκευασία ημιαγωγών: Χαμηλή - Ελάττωμα θερμοκρασίας - Ελεύθερη επένδυση από ινδικό επένδυση των μαξιλαριών διασύνδεσης τσιπ.
Αεροδιαστημική: Υψηλή επένδυση από την αξιοπιστία χρησιμοποιείται για τα δορυφορικά υλικά θερμικής διασύνδεσης (TIM).