1. මූලික ක්රියාවලි මූලධර්මය
බැටරි ඉලෙක්ට්රෝඩ සකස් කිරීමේදී, අතිධ්වනික පරමාණුකරණ ඉසීමෙන් සිදු කිරීම ප්රධාන පියවර 4 කට බෙදිය හැකිය:
1.1 ඉලෙක්ට්රෝඩ් ස්ලරි සකස් කිරීම: ක්රියාකාරී මුඩුක්කු සෑදීම සඳහා ක්රියාකාරී ද්රව්ය (LVDF), සන්නායක කාරක (NMP වැනි)
1.2 ලෝලී බෙදා හැරීම සහ පරමාණුකරණය: මුඩු උරුමය අතිශයින්ම පරමාණුක හිසට නිරවද්යතා ආලේපන පොම්පයක් හරහා ලබා දෙනු ලැබේ. පරමාණුකරණ හිසෙහි පීසෝ ඉලෙක්ට්රික් කම්පනය ඉහළ - සංඛ්යාත විදුලි සං signal ාවක් (සාමාන්යයෙන් 20khz - 100khz) ප්රචණ්ඩකාරී ලෙස කම්පනය වේ 1 - 30 මයික්රෝනිවල (බිංදු ප්රමාණය සංඛ්යාතය අනුව සකස් කළ හැකිය: වැඩි සංඛ්යාත, කුඩා සංඛ්යාතය).
1.3 ජල බිඳිති පිරිනැමීම්: පරමාණුකෘත වස්තූන් සහිත ජල බිඳිති ස්ථාවර ඉසින කදම්බයක් සෑදීම සඳහා වාහක ඉසින කදම්බයක් සාදයි, එය චලනය වන වත්මන් එකතු කරන්නාගේ මතුපිටට නිවැරදිව ඉසිනු ලැබේ
1.4 ආලේපන සෑදීම සහ වියළීම: වත්මන් එක් එක් සංසර්ගයේ මතුපිටින් ඉක්මනින් පැතිරී ඇති අතර පසුව වියළන නාලිකාවට (ද්රාවණය ඉවත් කිරීම සඳහා) අවසානයේදී එක්තරා ම .ාන් (සාමාන්යයෙන් 5 - 200 ක්).
2. සාම්ප්රදායික ඉලෙක්ට්රෝඩ් ආලේපන තාක්ෂණය හා සසඳන විට මූලික වාසි
බැටරි ඉලෙක්ට්රෝඩ නිෂ්පාදන, සාම්ප්රදායික තාක්ෂණයන්හි (තල ආලේපන සහ මුඩු ආලේපනය වැනි) ඉහළ දුස්ස්රාවිතතාවයේ / ඉහළ solid න අන්තර්ගත මුඩුක්කු සඳහා දුර්වල ආලේපන ඒකාකාරිත්වය, ඉහළ ද්රව්ය අපද්රව්ය / දුර්වල අනුවර්තනය වැනි ගැටළු තිබේ. අතිධ්වනික පරමාණුකරණ ඉසීමෙන් අල්ට්රාසොනික් පරමාණුකරණ ඉසීමෙන් විශේෂයෙන් ප්රමුඛයා:
අයිතමය | අතිධ්වනික ඉසින | සාම්ප්රදායික වෛද්ය තලය / තව් ආලේපනය |
ඒකාකාරිත්වය ආලේප කිරීම | ජල බිඳිති හොඳින් හා සංකේන්ද්රණය වී ඇති අතර, ආලේපන thickness ණකම අපගමනය ± 1% ක් තුළ පාලනය කළ හැකි අතර, "දාර thick ණවීම" සහ "පින්හෝල්" වැනි අඩුපාඩු නොමැත | මුඩු උකුලතාවයේ උච්චාවචනයට ගොදුරු වේ, thickness ණකම අපගමනය සාමාන්යයෙන් ± 5% - 10% ක් වන අතර ද්රව්ය පහසුවෙන් අද්දර එකතු වේ |
ද්රව්යමය භාවිතය | ජල බිඳිති ඉතා ඉක්මණින්, පාහේ ප්ලාවනයෙන් තොර, සහ භාවිතය 85% - 95% ට ළඟා වේ (සක්රීය ද්රව්යවල පිරිවැය ඉහළ මට්ටමක පවතී, එබැවින් මෙම වාසිය වැදගත් ය) | ස්ලරි රැඳී සිටීම සහ බිංදු කිරීම පහසු වන අතර, උපයෝගීතා අනුපාතය 50% ක් පමණක් වේ |
ආලේපන thickness ණකම පාලනය | අල්ට්රා - තුනී ආලේපන (සිකර 1 සිට 1 දක්වා) ඉහළ ශක්ති dens නත්ව බැටරි සඳහා සුදුසු (තුනී ආලේපන ion විසරණය වන මාර්ග කෙටි කරන්න) | අල්ට්රා - තුනී ආලේපන <10 මයික්රෝන ආලේපන සහ thickness ණකම ගැලපුම් පරාසය පටු වේ |
Scritry අනුවර්තනය වීමේ හැකියාව | ඉහළ solid න අන්තර්ගතයන් (> 60%), ඉහළ දුස්ස්රාවිතතාවය (> 1000 සීපී) මුඩුක්කු, ද්රාවක භාවිතය අඩු කරන්න (වඩා පරිසර හිතකාමී) | ඉහළ solid න අන්තර්ගත / ඉහළ දුස්ස්රාවිතතාවයේ මුඩුක්කු වලට දුර්වල අනුවර්තනය වීමේ හැකියාව |
වත්මන් එකතු කරන්නාට හානි වීම | යාන්ත්රික සම්බන්ධතාවයක් නැත (පරමාණුකරූපී හිස වත්මන් එකතු කරන්නා හා සම්බන්ධ නොවේ), අතිශයින්ම තුනී වත්මන් එකතු කරන්නන් සඳහා සුදුසු නොවේ (6μm ට අඩු තඹ තීරු වැනි) | සීරීම වත්මන් එකතු කරන්නා සමඟ සෘජු සම්බන්ධතාවයක් ඇති අතර එමඟින් තුනී වත්මන් එකතු කරන්නා පහසුවෙන් සීරීමට හැකිය. |
බර්සොනික් පරමාණුකරණයේ යෙදුම බැටරි ක්ෂේත්රයේ ඉසීම රසායනාගාරයෙන් විශාල - පරිමාණ නිෂ්පාදනය ඇතුළත් කර ඇති අතර, මූලික අවස්ථා සඳහා:
3.1 ලිතියම් - අයන බැටරි ඉලෙක්ට්රෝඩ ආලේපනය
ධනාත්මක ඉලෙක්ට්රෝඩ: ආලේපූම් තීරු මතුපිට ආලේපියේ ත්රිමාර ද්රව්ය (එන්.සී.එම්), ලිතියම් යකඩ පොස්පේට් (එල්එෆ්පී), විශේෂයෙන් ඉහළ සඳහා සුදුසු - NCM811 වැනි) - මෙම වර්ගයේ ද්රව්යවල එක්තරා වර්ගයේ ද්රව්යවලට ආලේපන සඳහා අතිශයින්ම වැඩි අවශ්යතා ඇති අතර, එසේ නොවුවහොත්, නොවරදින දේශීය ප්රතික්රියා හේතුවෙන් තාප ධාවන පථයට හේතු වීම පහසුය.
සෘණ ඉලෙක්ට්රෝඩ: ආලේපනය සහ සිලිකන් ආලේපන තඹ තීරු මතුපිට මත පදනම් වූ ද්රව්ය (සිලිකන් - මත පදනම් වූ සෘණ ඉලෙක්ට්රෝනය සංසරණය කිරීමේදී කැටි ගැසීම අඩු කර ගත හැකිය).
වාසි: ඉලෙක්ට්රෝඩ මතුපිට dens නත්වයේ අනුකූලතාව වැඩි දියුණු කිරීම (මතුපිට dens නත්ව අපගමනය <1%), බැටරි ආරෝපණය කිරීම හා බැහැර කිරීම තුළින් "ධ්රැවීකරණ සංසිද්ධිය" අඩු කරන්න, (20% කින් වැඩි කළ හැකිය (20% කින් වැඩි කළ හැකිය (30% කින්).
3.2 ඉන්ධන සෛල උත්ප්රේරක ස්ථර ආලේපනය
ඉන්ධන සෛලවල (හයිඩ්රවන ඉන්ධන සෛල වැනි) "වැනි ඉන්ධන ඉන්ධන සෛල වැනි), ප්ලැටිනම් සමඟ (මීයා)" වැනි ආලේප කර තිබිය යුතුය (ප්රෝටෝන හුවමාරු පටලවල මතුපිට (අතිශයින්ම මිල අධික). අතිධ්වනික පරමාණුකරණ ඉසීම උත්ප්රේරකමය මුඩුක්කු (ප්ලැටිනම් අංශු විසුරුවා හැරීම), ඒකාකාරව thickness ණකම (± 200 0% ට වඩා වැඩි වේ (සාම්ප්රදායික ක්රමය 30% කින් පමණක් වැඩි වේ.
3.3 solid න - රාජ්ය බැටරි ඉලෙක්ට්රෝලයිට් ආලේපනය
Solid න - රාජ්ය බැටරි (සල්ෆයිඩ් සහ ඔක්සයිඩ් and ෝෂාකාරී විද්යුත් විදුලි විකාශනය වැනි) ඉලෙක්ට්රෝඩ මතුපිට අඛණ්ඩ තුනී ස්ථරයක් (1 - 5 මයික්රෝන) සෑදිය යුතුය. අතිධ්වනික පරමාණුකකරණය ඉසීම සාම්ප්රදායික ආලේපනයේ "පීඩනිකනි" වළක්වා ගත හැකිය, විද්යුත් විච්ඡේදක තට්ටුව ඉරිතැලීම - නොමිලේ සහ අයන සන්නායක කාර්යක්ෂමතාව වැඩි දියුණු කිරීම.